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真性ゲルマニウムの導電性と温度の関係を調べるための真性ゲルマニウム結晶を搭載した交換式の回路基板です。横方向電流の接点の他に，温度センサーの付いた抵抗加熱素子がゲルマニウム結晶の直下に取り付けられています。回路基板をホール効果実験セット（U13114）と接続するための多ピンプラグも付いています。
ノンドープGeは真性半導体のため非常に小さなホール電圧しか計測できません。ホール電圧の測定にはPドープGe搭載プリント回路基板（U13112）もしくはNドープGe搭載プリント回路基板（U13113）をご使用ください。
PドープGeプリント回路基板
P型不純物添加ゲルマニウム結晶を使用
NドープGeプリント回路基板
N型不純物添加ゲルマニウム結晶を使用
ホール効果実験セット
温度とホール効果，導電性の関連を測定実験します
