

デバイ・シアース効果の実験に用いる半導体レーザーです。安全等級クラス3aのレーザーに1mのリード線がつなげられており,連続超音波発生器(U100061)とデバイ・シアース効果実験容器(U10008)に接続して使用します。超音波にレーザー光を照射して,デバイ・シアース効果を実証することができます。
1932年,デバイとシアースは,光が高周波数をかけた液体を通過するときに屈折することを初めて実証しました。このプロセスにおいて,定常波の密度の最大値および最小値は,光学回折格子の格子のような挙動を示します。ここで格子定数は,波長の半分に等しく,したがって媒体を経由して伝播された超音波の周波数および速度に依存します。
連続超音波発生器
デバイ・シアース効果の実験に使用する超音波発生器
デバイ・シアース効果用半導体レーザー・赤
発生器に接続して使う専用レーザー
デバイ・シアース効果実験容器
レーザー,発振信を接続,固定できます。