デバイ・シアース効果用半導体レーザー・赤

デバイ・シアース効果用半導体レーザー・赤:U10007
この半導体レーザーはデバイ・シアース効果の実験に用います。安全等級クラス2のレーザーに1mのリード線がつなげられており,連続超音波発生器(U100061)とデバイ・シアース効果実験容器(U10008)に接続して使用します。超音波にレーザー光を照射して,デバイ・シアース効果を実証することができます。
- 波長:約550nm
- 電力:1mW未満
- 供給電圧:3V直流
- 消費電流:最大30mA
- 寸法:90mmx直径17mm
デバイ・シアース効果
1932年,デバイとシアースは,光が高周波数をかけた液体を通過するときに屈折することを初めて実証しました。このプロセスにおいて,定常波の密度の最大値および最小値は,光学回折格子の格子のような挙動を示します。ここで格子定数は,波長の半分に等しく,したがって媒体を経由して伝播された超音波の周波数および速度に依存します。
製品マニュアルの記載言語:英語,ドイツ語