デバイ・シアース効果用半導体レーザー・緑

デバイ・シアース効果用半導体レーザー・緑:U10009
デバイ・シアース効果の実験に用いる半導体レーザーです。安全等級クラス3aのレーザーに1mのリード線がつなげられており,連続超音波発生器(U100061)とデバイ・シアース効果実験容器(U10008)に接続して使用します。超音波にレーザー光を照射して,デバイ・シアース効果を実証することができます。
- 波長:約432nm
- 電力:5mW未満
- 供給電圧:3V直流
- 消費電流:最大250mA
- 寸法:90mmx直径17mm